AS4C32M16D3L-12BIN
참조 용
| 부품 번호 | AS4C32M16D3L-12BIN |
| PNEDA 부품 번호 | AS4C32M16D3L-12BIN |
| 설명 | IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,102 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS4C32M16D3L-12BIN 리소스
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AS4C32M16D3L-12BIN 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - DDR3 |
| 메모리 크기 | 512Mb (32M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 800MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | 20ns |
| 전압-공급 | 1.283V ~ 1.45V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 96-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 96-FBGA (8x13) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 1.7V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH 메모리 크기 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 50µs 접근 시간 120ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 32-TSOP |
