APTSM120AM25CT3AG
참조 용
| 부품 번호 | APTSM120AM25CT3AG |
| PNEDA 부품 번호 | APTSM120AM25CT3AG |
| 설명 | POWER MODULE - SIC |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 29 - 7월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTSM120AM25CT3AG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTSM120AM25CT3AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTSM120AM25CT3AG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 148A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 4mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 544nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 937W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 5.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800pF @ 50V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1438pF @ 15V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 20V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.74nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12.9pF @ 12V 전력-최대 820mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
