APTMC170AM60CT1AG
참조 용
| 부품 번호 | APTMC170AM60CT1AG |
| PNEDA 부품 번호 | APTMC170AM60CT1AG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,364 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTMC170AM60CT1AG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTMC170AM60CT1AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTMC170AM60CT1AG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N Channel (Phase Leg) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 2.5mA (Typ) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 190nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3080pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 350W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1021pF @ 30V 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
