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APTM20DHM10G

APTM20DHM10G

참조 용

부품 번호 APTM20DHM10G
PNEDA 부품 번호 APTM20DHM10G
설명 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM20DHM10G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM20DHM10G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM20DHM10G, APTM20DHM10G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 279.2 KB)
PDFAPTM20DHM10G 데이터 시트 표지
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APTM20DHM10G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)175A
Rds On (최대) @ Id, Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs224nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13700pF @ 25V
전력-최대694W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMS7600AS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1750pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power56

BSD235CH6327XTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA, 530mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

47pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

CSD86360Q5D

Texas Instruments

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2060pF @ 12.5

전력-최대

13W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

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