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APTC90AM60SCTG

APTC90AM60SCTG

참조 용

부품 번호 APTC90AM60SCTG
PNEDA 부품 번호 APTC90AM60SCTG
설명 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC90AM60SCTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC90AM60SCTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTC90AM60SCTG Distributor

APTC90AM60SCTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13600pF @ 100V
전력-최대462W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTC90HM60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

SI3909DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

PMDPB56XNEAX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

256pF @ 15V

전력-최대

485mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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