APTC60TDUM35PG
참조 용
| 부품 번호 | APTC60TDUM35PG |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60TDUM35PG |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,740 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60TDUM35PG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC60TDUM35PG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC60TDUM35PG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 72A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 72A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| 전력-최대 | 416W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6-P |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 490mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 920mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.05nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 23pF @ 30V 전력-최대 410mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지 15-ZIP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1790pF @ 20V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3462pF @ 25V 전력-최대 68W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
