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APTC60DSKM70T3G

APTC60DSKM70T3G

참조 용

부품 번호 APTC60DSKM70T3G
PNEDA 부품 번호 APTC60DSKM70T3G
설명 MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60DSKM70T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60DSKM70T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTC60DSKM70T3G, APTC60DSKM70T3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 305.85 KB)
PDFAPTC60DSKM70T3G 데이터 시트 표지
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APTC60DSKM70T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7000pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

785pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A, 2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

355pF @ 10V

전력-최대

710mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI6955ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

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350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

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