Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

APTC60DAM35T1G

APTC60DAM35T1G

참조 용

부품 번호 APTC60DAM35T1G
PNEDA 부품 번호 APTC60DAM35T1G
설명 MOSFET N-CH 600V 72A SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60DAM35T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60DAM35T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
APTC60DAM35T1G, APTC60DAM35T1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 312.47 KB)
PDFAPTC60DAM35T1G 데이터 시트 표지
APTC60DAM35T1G 데이터 시트 페이지 2 APTC60DAM35T1G 데이터 시트 페이지 3 APTC60DAM35T1G 데이터 시트 페이지 4 APTC60DAM35T1G 데이터 시트 페이지 5 APTC60DAM35T1G 데이터 시트 페이지 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • APTC60DAM35T1G Datasheet
  • where to find APTC60DAM35T1G
  • Microsemi

  • Microsemi APTC60DAM35T1G
  • APTC60DAM35T1G PDF Datasheet
  • APTC60DAM35T1G Stock

  • APTC60DAM35T1G Pinout
  • Datasheet APTC60DAM35T1G
  • APTC60DAM35T1G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APTC60DAM35T1G Price
  • APTC60DAM35T1G Distributor

APTC60DAM35T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs518nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)416W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SP1
패키지 / 케이스SP1

관심을 가질만한 제품

IRF840LCSPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMTH10H015LK3-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1871pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

BSS138L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.75V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STH160N4LF6-2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

181nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8130pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

H2Pak-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR3711Z

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

93A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.45V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2160pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

최근 판매

T491D106K050AT

T491D106K050AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 50V 2917

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

MIC4420YN

MIC4420YN

Microchip Technology

IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP

MAX3488ESA+

MAX3488ESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

2016L100/33DR

2016L100/33DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 2016

DLP11TB800UL2L

DLP11TB800UL2L

Murata

CMC 100MA 2LN 80 OHM SMD

SS36FA

SS36FA

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123FA

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

ICM7555IPA

ICM7555IPA

Maxim Integrated

IC OSC SINGLE TIMER 500KHZ 8DIP

PIC18F1230-I/SO

PIC18F1230-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

IXFK90N20

IXFK90N20

IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA

AD5676RBRUZ

AD5676RBRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 20TSSOP