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APTC60AM35SCTG

APTC60AM35SCTG

참조 용

부품 번호 APTC60AM35SCTG
PNEDA 부품 번호 APTC60AM35SCTG
설명 MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,166
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60AM35SCTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60AM35SCTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60AM35SCTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)72A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs518nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14000pF @ 25V
전력-최대416W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 30V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1995pF @ 40V

전력-최대

187W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 8 x 8 Dual

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PowerPAK® 8 x 8 Dual

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 12.5V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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ON Semiconductor

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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