APT43GA90B
참조 용
| 부품 번호 | APT43GA90B | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | APT43GA90B | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 314 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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APT43GA90B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT43GA90B |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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APT43GA90B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 8™ |
| IGBT 유형 | PT |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 900V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 78A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 129A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 25A |
| 전력-최대 | 337W |
| 에너지 전환 | 875µJ (on), 425µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 116nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 12ns/82ns |
| 테스트 조건 | 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 [B] |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFAST™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 15A 전류-수집기 펄스 (Icm) 48A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A 전력-최대 85W 에너지 전환 90µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 32nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 20ns/60ns 테스트 조건 480V, 12A, 18Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUS220™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUS220™ |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™, XPT™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 130A 전류-수집기 펄스 (Icm) 250A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 36A 전력-최대 600W 에너지 전환 1.3mJ (on), 370µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 22ns/80ns 테스트 조건 400V, 36A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 120ns 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXYH) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 TrenchStop® IGBT 유형 NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20A 전류-수집기 펄스 (Icm) 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 10A 전력-최대 110W 에너지 전환 430µJ 입력 유형 Standard 게이트 차지 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 12ns/215ns 테스트 조건 400V, 10A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 |
제조업체 IXYS 시리즈 BIMOSFET™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 9A 전류-수집기 펄스 (Icm) 10A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 5A 전력-최대 100W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 34nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 960V, 5A, 27Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247AD (IXBH) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 330V 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전류-수집기 펄스 (Icm) 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 70A 전력-최대 48W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220F |
