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APT43GA90B

APT43GA90B

참조 용

부품 번호 APT43GA90B
PNEDA 부품 번호 APT43GA90B
설명 IGBT 900V 78A 337W TO-247
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $67.3601
50 ---------- $64.2026
100 ---------- $61.0451
200 ---------- $57.8876
400 ---------- $55.2564
500 ---------- $52.6251
재고 있음 314
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT43GA90B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT43GA90B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT43GA90B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 8™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)900V
전류-수집기 (Ic) (최대)78A
전류-수집기 펄스 (Icm)129A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 25A
전력-최대337W
에너지 전환875µJ (on), 425µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지116nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/82ns
테스트 조건600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

160µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/93ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

전력-최대

600W

에너지 전환

1.3mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/80ns

테스트 조건

400V, 36A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

FGPF70N33BTTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

전력-최대

48W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

NGTG30N60FWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

전력-최대

167W

에너지 전환

650µJ (on), 650µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

81ns/190ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGW35NC120HD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

135A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 20A

전력-최대

235W

에너지 전환

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/275ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

152ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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