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APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

참조 용

부품 번호 APT25GR120SSCD10
PNEDA 부품 번호 APT25GR120SSCD10
설명 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
제조업체 Microsemi
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APT25GR120SSCD10 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT25GR120SSCD10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT25GR120SSCD10, APT25GR120SSCD10 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 1,088.85 KB)
PDFAPT25GR120SSCD10 데이터 시트 표지
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APT25GR120SSCD10 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
전력-최대521W
에너지 전환434µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/122ns
테스트 조건600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지D3Pak

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.91V @ 15V, 10A

전력-최대

101W

에너지 전환

29µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/79ns

테스트 조건

400V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

IKZ75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™ 5

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

1.57mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

436nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

120ns/275ns

테스트 조건

400V, 75A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

59ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

PG-TO247-4

SKB15N60 E8151

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

62A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

139W

에너지 전환

570µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

76nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/234ns

테스트 조건

400V, 15A, 21Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

279ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

RGTH00TS65DGC11

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

277W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

94nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/143ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

54ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

112nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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