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APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

참조 용

부품 번호 APT25GN120B2DQ2G
PNEDA 부품 번호 APT25GN120B2DQ2G
설명 IGBT 1200V 67A 272W TMAX
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $80.6825
50 ---------- $76.9005
100 ---------- $73.1185
200 ---------- $69.3365
400 ---------- $66.1849
500 ---------- $63.0332
재고 있음 2,224
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APT25GN120B2DQ2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT25GN120B2DQ2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • Microsemi Distributor
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  • APT25GN120B2DQ2G Distributor

APT25GN120B2DQ2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)67A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
전력-최대272W
에너지 전환2.15µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/280ns
테스트 조건800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

NGTB45N60S2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

360µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/151ns

테스트 조건

400V, 45A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

498ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

10mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/400ns

테스트 조건

960V, 35A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

IRG4BC20KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

340µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/180ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGH40T65SPD-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

267W

에너지 전환

1.16MJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/35ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGY160T65SPD-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

480A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 160A

전력-최대

882W

에너지 전환

12.4mJ (on), 5.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/98ns

테스트 조건

400V, 160A, 15V

역 복구 시간 (trr)

132ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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