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APT20M22B2VFRG

APT20M22B2VFRG

참조 용

부품 번호 APT20M22B2VFRG
PNEDA 부품 번호 APT20M22B2VFRG
설명 MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
제조업체 Microsemi
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재고 있음 2,682
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT20M22B2VFRG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT20M22B2VFRG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
APT20M22B2VFRG, APT20M22B2VFRG 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 64.7 KB)
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APT20M22B2VFRG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS V®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs435nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)520W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant

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Diodes Incorporated

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4234pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRFP4232PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35.7mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

430W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3

TSM090N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSC670N25NSFDATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 125V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

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Surface Mount

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 960µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2127pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

219W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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