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AOWF412

AOWF412

참조 용

부품 번호 AOWF412
PNEDA 부품 번호 AOWF412
설명 MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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AOWF412 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOWF412
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOWF412, AOWF412 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 497.22 KB)
PDFAOWF412 데이터 시트 표지
AOWF412 데이터 시트 페이지 2 AOWF412 데이터 시트 페이지 3 AOWF412 데이터 시트 페이지 4 AOWF412 데이터 시트 페이지 5 AOWF412 데이터 시트 페이지 6 AOWF412 데이터 시트 페이지 7

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AOWF412 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SDMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.8A (Ta), 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs15.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs54nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3220pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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ON Semiconductor

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

730mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Infineon Technologies

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCH067N65S3-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® III

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3090pF @ 400V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

312W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

패키지 / 케이스

TO-247-3

SYC0102BLT1G

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

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Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

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