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AIHD04N60RATMA1

AIHD04N60RATMA1

참조 용

부품 번호 AIHD04N60RATMA1
PNEDA 부품 번호 AIHD04N60RATMA1
설명 IC DISCRETE 600V TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,214
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AIHD04N60RATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AIHD04N60RATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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AIHD04N60RATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
전력-최대75W
에너지 전환90µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/146ns
테스트 조건400V, 4A, 43Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

전력-최대

500W

에너지 전환

1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/160ns

테스트 조건

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

400ns/400ns

테스트 조건

300V, 10A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-220SM

RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

94W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

102ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

37A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 15A

전력-최대

300W

에너지 전환

9.15mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

267nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/455ns

테스트 조건

1500V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

706ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

34A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

45W

에너지 전환

600µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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