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64062

64062

참조 용

부품 번호 64062
PNEDA 부품 번호 64062
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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64062 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호64062
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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64062 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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NPN

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8V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2mA, 4V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SMini3-G1

MS1030DE

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFU550XVL

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

11GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

이득

15.5dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Gull Wing

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

BFS 17P E6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1.4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

이득

-

전력-최대

280mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2.3V

주파수-전환

60GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

이득

16dB

전력-최대

80mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 5mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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