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60189

60189

참조 용

부품 번호 60189
PNEDA 부품 번호 60189
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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60189 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호60189
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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60189 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT-32011-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

이득

12.5dB ~ 14dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

BFP640FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.7V

주파수-전환

46GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

이득

8B ~ 30.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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2SC3356-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

11.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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