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60168

60168

참조 용

부품 번호 60168
PNEDA 부품 번호 60168
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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60168 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호60168
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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60168 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

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전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

2N5109

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

1.2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

12dB

전력-최대

2.5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

60205

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SD1013-20H

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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