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50WQ10FNTRR

50WQ10FNTRR

참조 용

부품 번호 50WQ10FNTRR
PNEDA 부품 번호 50WQ10FNTRR
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,358
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

50WQ10FNTRR 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호50WQ10FNTRR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
50WQ10FNTRR, 50WQ10FNTRR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 212.24 KB)
PDF50WQ10FNTRR 데이터 시트 표지
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50WQ10FNTRR 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)5.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If770mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F183pF @ 5V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252AA)
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

4000V

전류-평균 정류 (Io)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 4000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

125mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

BAT54T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

작동 온도-접합

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 12V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

1N3890R

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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