2SK4125-1E
참조 용
| 부품 번호 | 2SK4125-1E |
| PNEDA 부품 번호 | 2SK4125-1E |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 17A |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,580 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SK4125-1E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SK4125-1E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SK4125-1E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 610mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1200pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.5W (Ta), 170W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-3P-3L |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 59V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 155pF @ 35V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.69W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
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