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2SK2963(TE12L,F)

2SK2963(TE12L,F)

참조 용

부품 번호 2SK2963(TE12L,F)
PNEDA 부품 번호 2SK2963-TE12L-F
설명 MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SK2963(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK2963(TE12L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2SK2963(TE12L, 2SK2963(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 245.94 KB)
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  • 2SK2963(TE12L,F) Distributor

2SK2963(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds140pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PW-MINI
패키지 / 케이스TO-243AA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

97A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4820pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3

AOL1440

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

UltraSO-8™

패키지 / 케이스

3-PowerSMD, Flat Leads

AON6542

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta), 30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

951pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.1W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

STFI10NK60Z

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

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시리즈

*

FET 유형

-

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-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

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