2SCR586D3TL1
참조 용
| 부품 번호 | 2SCR586D3TL1 |
| PNEDA 부품 번호 | 2SCR586D3TL1 |
| 설명 | POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 22,836 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SCR586D3TL1 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SCR586D3TL1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2SCR586D3TL1 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 80V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| 전력-최대 | 10W |
| 주파수-전환 | 200MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 5000 @ 3A, 2V 전력-최대 1.5W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
