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2SCR372P5T100Q

2SCR372P5T100Q

참조 용

부품 번호 2SCR372P5T100Q
PNEDA 부품 번호 2SCR372P5T100Q
설명 NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 13,422
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2SCR372P5T100Q 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SCR372P5T100Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SCR372P5T100Q, 2SCR372P5T100Q 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,396.16 KB)
PDF2SCR372P5T100R 데이터 시트 표지
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2SCR372P5T100Q 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 5V
전력-최대500mW
주파수-전환220MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지MPT3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2A, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

26A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 3.25A, 13A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 13A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSA1010Y

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 5V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

전력-최대

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주파수-전환

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