2SC4793,HFEF(J
참조 용
| 부품 번호 | 2SC4793,HFEF(J |
| PNEDA 부품 번호 | 2SC4793-HFEF-J |
| 설명 | TRANS NPN 1A 230V TO220-3 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,734 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
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2SC4793 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SC4793,HFEF(J |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SC4793 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 230V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 50mA, 500mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| 전력-최대 | 2W |
| 주파수-전환 | 100MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220NIS |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 4V 전력-최대 2W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
