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2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F

참조 용

부품 번호 2N7002DWQ-7-F
PNEDA 부품 번호 2N7002DWQ-7-F
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
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2N7002DWQ-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002DWQ-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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2N7002DWQ-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

ISOPLUS-DIL™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

ZXMN6A09DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1407pF @ 40V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ZXMP3A16DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1022pF @ 15V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

RJM0603JSC-00#12

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 10V

전력-최대

54W

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20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

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750mW

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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