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2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F

참조 용

부품 번호 2N7002DW-7-F
PNEDA 부품 번호 2N7002DW-7-F
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
제조업체 Diodes Incorporated
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2N7002DW-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002DW-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
2N7002DW-7-F, 2N7002DW-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 397.04 KB)
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2N7002DW-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 20V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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Rohm Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTM100A23STG

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FET 유형

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

308nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

SH8M3TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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