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2N7002-G

2N7002-G

참조 용

부품 번호 2N7002-G
PNEDA 부품 번호 2N7002-G_10E
설명 MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
제조업체 Comchip Technology
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2N7002-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002-G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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2N7002-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds25pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)350mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

71A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

π-MOSV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±7V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 3V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

USM

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

NTD4963NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1035pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta), 35.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXFT24N80P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

650W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta), 13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

107mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2045pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 62W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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