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2N6284

2N6284

참조 용

부품 번호 2N6284
PNEDA 부품 번호 2N6284_8B
설명 TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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2N6284 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N6284
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N6284, 2N6284 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 529.05 KB)
PDF2N6284 데이터 시트 표지
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2N6284 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce750 @ 10A, 3V
전력-최대160W
주파수-전환-
작동 온도200°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지TO-3

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500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 8mA, 400mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

330mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

2SB0953AQ

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 160mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 5A, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

200nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

전력-최대

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