2N5115-E3
참조 용
| 부품 번호 | 2N5115-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5115-E3 |
| 설명 | JFET P-CH 30V TO-18 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,300 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N5115-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5115-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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- Vishay Siliconix Distributor
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- 2N5115-E3 Distributor
2N5115-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-206AA (TO-18) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
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