2N3636UB
참조 용
| 부품 번호 | 2N3636UB |
| PNEDA 부품 번호 | 2N3636UB |
| 설명 | TRANS PNP 175V 1A |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,516 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N3636UB 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N3636UB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2N3636UB 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 175V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| 전력-최대 | 1.5W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, No Lead |
| 공급자 장치 패키지 | 3-SMD |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V 전력-최대 500mW 주파수-전환 80MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V 전력-최대 800mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 8 @ 5A, 5V 전력-최대 2W 주파수-전환 4MHz 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
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