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2DA1201Y-7

2DA1201Y-7

참조 용

부품 번호 2DA1201Y-7
PNEDA 부품 번호 2DA1201Y-7
설명 TRANS PNP 120V 0.8A SOT89
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,064
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2DA1201Y-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2DA1201Y-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2DA1201Y-7, 2DA1201Y-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 283.49 KB)
PDF2DA1201Y-7 데이터 시트 표지
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2DA1201Y-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 5V
전력-최대1.5W
주파수-전환160MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

전력-최대

10W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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TO-220-3

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

165mV @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

380MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 400mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

200nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

275mV @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

전력-최대

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