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1N6485

1N6485

참조 용

부품 번호 1N6485
PNEDA 부품 번호 1N6485
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,480
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6485 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6485
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N6485 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5351CE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

14V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 10.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N5920APE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±10%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N4754AHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZT52B75JS-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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