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1N6335US

1N6335US

참조 용

부품 번호 1N6335US
PNEDA 부품 번호 1N6335US
설명 DIODE ZENER 30V 500MW B-SQ MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6335US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6335US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N6335US Distributor

1N6335US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)500 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF

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공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

CZRU52C3

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

0603/SOD-523F

CDLL5258B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

10mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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