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1N5956B TR

1N5956B TR

참조 용

부품 번호 1N5956B TR
PNEDA 부품 번호 1N5956B-TR
설명 DIODE ZENER 200V 1.5W DO41
제조업체 Central Semiconductor Corp
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재고 있음 4,464
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1N5956B TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5956B TR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5956B TR, 1N5956B TR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 561.63 KB)
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1N5956B TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)200V
공차±5%
전력-최대1.5W
임피던스 (최대) (Zzt)1.2 kOhms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 152V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA (GL34)

UDZSTE-175.6B

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 2.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

4.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZD27C75P-M-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, BZD27C

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Comchip Technology

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

28 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123FL

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