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12A02MH-TL-E

12A02MH-TL-E

참조 용

부품 번호 12A02MH-TL-E
PNEDA 부품 번호 12A02MH-TL-E
설명 TRANS PNP 12V 1A MCPH3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

12A02MH-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호12A02MH-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
12A02MH-TL-E, 12A02MH-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 362.97 KB)
PDF12A02MH-TL-E 데이터 시트 표지
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12A02MH-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic240mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 2V
전력-최대600mW
주파수-전환450MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-MCPH

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PNP

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500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1A, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 2A, 5V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 700mA, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 3A, 4V

전력-최대

100W

주파수-전환

20MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

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ON Semiconductor

제조업체

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

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작동 온도

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