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부품 번호
설명
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수량
KBP408G
KBP408G

Diodes Incorporated

브리지 정류기

BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBP
  • 공급자 장치 패키지: KBP
재고 있음1,417
KBP406G
KBP406G

Diodes Incorporated

브리지 정류기

BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBP
  • 공급자 장치 패키지: KBP
재고 있음411
DFB2020
DFB2020

ON Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 200V 20A TS-6P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 20A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, TS-6P
  • 공급자 장치 패키지: TS-6P
재고 있음387
KBU8K
KBU8K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 8A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음1,800
KBP310G
KBP310G

Diodes Incorporated

브리지 정류기

BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBP
  • 공급자 장치 패키지: KBP
재고 있음6,774
KBP308G
KBP308G

Diodes Incorporated

브리지 정류기

BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBP
  • 공급자 장치 패키지: KBP
재고 있음13,625
KBP306G
KBP306G

Diodes Incorporated

브리지 정류기

BRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBP
  • 공급자 장치 패키지: KBP
재고 있음18,439
KBU6K
KBU6K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음61,911
KBU6J
KBU6J

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음4,265
KBU6A
KBU6A

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음337
GBJ1008TB
GBJ1008TB

SMC Diode Solutions

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ

  • 제조업체: SMC Diode Solutions
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP
  • 공급자 장치 패키지: GBJ
재고 있음12,828
TS20P07G C2G
TS20P07G C2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A TS-6P

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 20A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, TS-6P
  • 공급자 장치 패키지: TS-6P
재고 있음5,211
GBU15K
GBU15K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 15A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 15A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음10,109
GBU10K
GBU10K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음16,522
KBL608G
KBL608G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBL
  • 공급자 장치 패키지: KBL
재고 있음10,488
KBL606G
KBL606G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBL
  • 공급자 장치 패키지: KBL
재고 있음60,829
GBU8M
GBU8M

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 8A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음2,030
GBU8K
GBU8K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 8A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음6,557
BR310
BR310

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A BR-3

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-Square, BR-3
  • 공급자 장치 패키지: BR-3
재고 있음427,196
KBJ408G
KBJ408G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBJ
  • 공급자 장치 패키지: KBJ
재고 있음386
GBU6M
GBU6M

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음14,855
GBU6K
GBU6K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음15,707
GBU6G
GBU6G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음5,201
GBU4K
GBU4K

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음22,266
G2SB60-E3/45
G2SB60-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 750mA
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음2,406
GBL08
GBL08

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음200
GBU1008TB
GBU1008TB

SMC Diode Solutions

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU

  • 제조업체: SMC Diode Solutions
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음5,845
EDF1BS-E3/45
EDF1BS-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFS

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 1A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: DFS
재고 있음196
DB104-G
DB104-G

Comchip Technology

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB

  • 제조업체: Comchip Technology
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
  • 공급자 장치 패키지: DB
재고 있음1,449
SDM1L30BLP-13
SDM1L30BLP-13

Diodes Incorporated

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 30V 1A DFN5060-4

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Schottky
  • 전압-피크 역방향 (최대): 30V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 420mV @ 1A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-VDFN
  • 공급자 장치 패키지: V-DFN5060-4
재고 있음1,198