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ACNT-H50L-500E
ACNT-H50L-500E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANSISTOR 8SO

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 31% @ 12mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 12mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 1µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 24V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.535", 13.60mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO Stretched
재고 있음2
ILD2-X009
ILD2-X009

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.2µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.6µs, 2.2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음915
APV1121SZ
APV1121SZ

Panasonic Electric Works

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV PHOTOVOLTAIC 4-SOP

  • 제조업체: Panasonic Electric Works
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400µs, 100µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Photovoltaic
  • 전압-출력 (최대): 8.7V
  • 전류-출력 / 채널: 14µA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음10,923
HCPL4503SDM
HCPL4503SDM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 250ns, 260ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음4,622
HCPL-4504-560E
HCPL-4504-560E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 8DIPGW

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 60% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 300ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
재고 있음97
SFH6345-X017T
SFH6345-X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음471
MOC217M
MOC217M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,436
4N38M
4N38M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,075
CNY17G-3
CNY17G-3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음11
CQY80NG
CQY80NG

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음9,893
CNY75GB
CNY75GB

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5.5µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
견적 요청
MOC8101X
MOC8101X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,179
4N36M
4N36M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음46,152
FOD8173S
FOD8173S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음16,792
FOD817D300
FOD817D300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음17,879
CNY17-2S
CNY17-2S

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,395
CNY17-4S
CNY17-4S

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음5,349
CNY17-1S
CNY17-1S

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음11,797
IL223AT
IL223AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음461
H11AV1SR2M
H11AV1SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음33,589
MOC8104-X019T
MOC8104-X019T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 6SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 256% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
견적 요청
CNY17F-2X007T
CNY17F-2X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음1,386
MOC211R2M
MOC211R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음1,109
HCPL-5731
HCPL-5731

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1.5KV 2CH DARLNG 8-DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 1500VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 40mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 10mA
  • Vce 포화 (최대): 110mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음633
8302401EA
8302401EA

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1.5KV 4CH DARLNG 16-DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 1500VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 8µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 40mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 10mA
  • Vce 포화 (최대): 110mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 16-DIP
재고 있음1,118
HCPL-5531
HCPL-5531

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1.5KV TRANS W/BASE 8DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 1500VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 9% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 1µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.55V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음463
PVI5080NPBF
PVI5080NPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PVI
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Photovoltaic
  • 전압-출력 (최대): 5V
  • 전류-출력 / 채널: 8µA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified
재고 있음2,908
HCNR201-050E
HCNR201-050E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 0.36% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 0.72% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Photovoltaic, Linearized
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음84
IL300-X007
IL300-X007

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV PHVOLT 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 1µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Photovoltaic, Linearized
  • 전압-출력 (최대): 500mV
  • 전류-출력 / 채널: 70µA (Typ)
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음37
PVI5080NSPBF
PVI5080NSPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PVI
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Photovoltaic
  • 전압-출력 (최대): 5V
  • 전류-출력 / 채널: 8µA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음131