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MCT5210
MCT5210

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음58
H11D3
H11D3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 6µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 200V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음128
FOD2742BV
FOD2742BV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANSISTOR 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음578
PS2861B-1Y-A
PS2861B-1Y-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SO

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음5,032
FOD2711ATV
FOD2711ATV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음17
H11B1VM
H11B1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4170Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,313
PS2381-1Y-F3-AX
PS2381-1Y-F3-AX

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 115°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-LSOP (2.54mm)
재고 있음39,346
FOD2742B
FOD2742B

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANSISTOR 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음46
H11B1
H11B1

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음274
FOD852300W
FOD852300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 15000% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 100µs, 20µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1.2V
  • 작동 온도: -30°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음240
LTV-207
LTV-207

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8-SOP

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음677
PS2701-1-V-M-A
PS2701-1-V-M-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음706
LDA101STR
LDA101STR

IXYS Integrated Circuits Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: IXYS Integrated Circuits Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 33% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 20µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 1mA
  • Vce 포화 (최대): 500mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음1,230
ACPL-227-56BE
ACPL-227-56BE

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3KV 2CH TRANS 8SOIC

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 3000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음3,712
MOC256M
MOC256M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음10,365
IL215AT
IL215AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음197
PS2703-1-V-A
PS2703-1-V-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 120V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음697
ACPL-827-06CE
ACPL-827-06CE

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -30°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음1
ACPL-827-06BE
ACPL-827-06BE

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8DIP

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -30°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음2,803
LTV-824HS-TA1
LTV-824HS-TA1

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-SMD

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 100mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 100mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 150mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -30°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음7,870
LTV-824H
LTV-824H

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 100mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 100mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 150mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -30°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
견적 요청
CNY17F-4X009T
CNY17F-4X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,057
PS2705A-1-V-F3-A
PS2705A-1-V-F3-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SOP
재고 있음8,510
6N139S-TA1
6N139S-TA1

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8SMD

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1.6mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 2600% @ 1.6mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 100ns, 2µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 18V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음11,566
LTV-824S-TA1
LTV-824S-TA1

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-SMD

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -30°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음2,707
FODM2705R2V
FODM2705R2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음1,690
EL3H7(C)-G
EL3H7(C)-G

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 200mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SSOP
재고 있음381
MOC212M
MOC212M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음240
PS2561L-1-V-F3-A
PS2561L-1-V-F3-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: NEPOC
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.17V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,096
PS2801C-1-V-F3-A
PS2801C-1-V-F3-A

Renesas Electronics America

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-SSOP
재고 있음6,688