Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트

SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 171.28 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: SI4936BDY-T1-GE3, SI4936BDY-T1-E3
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 1
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8
SI4936BDY-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9
SI4936BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI4936BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO