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SI4114DY-T1-E3 데이터 시트

SI4114DY-T1-E3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: SI4114DY-T1-E3, SI4114DY-T1-GE3
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SI4114DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4114DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)