PMGD8000LN 데이터 시트
NXP 제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 125mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18.5pF @ 5V 전력-최대 200mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |