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HGT1S12N60A4S9A 데이터 시트

HGT1S12N60A4S9A 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 229.62 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: HGT1S12N60A4S9A, HGTP12N60A4, HGTG12N60A4
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HGT1S12N60A4S9A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/96ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

HGTP12N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/96ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

HGTG12N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/96ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3