Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

FCP380N60 데이터 시트

FCP380N60 데이터 시트
총 페이지: 11
크기: 719.84 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: FCP380N60, FCPF380N60
FCP380N60 데이터 시트 페이지 1
FCP380N60 데이터 시트 페이지 2
FCP380N60 데이터 시트 페이지 3
FCP380N60 데이터 시트 페이지 4
FCP380N60 데이터 시트 페이지 5
FCP380N60 데이터 시트 페이지 6
FCP380N60 데이터 시트 페이지 7
FCP380N60 데이터 시트 페이지 8
FCP380N60 데이터 시트 페이지 9
FCP380N60 데이터 시트 페이지 10
FCP380N60 데이터 시트 페이지 11
FCP380N60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1665pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

106W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

FCPF380N60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1665pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack