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CLS03 데이터 시트

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Toshiba Semiconductor and Storage
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CLS03,LNITTOQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(TE16R,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(TE16L,SQC,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(TE16L,PSD,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(TE16L,PCD,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(TE16L,DNSO,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(T6L,SHINA,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CLS03(T6L,CANO-O,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.58V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

345pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C