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트랜지스터

기록 64,903
페이지 687/2164
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
PDTA143ZEF,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SC-89
재고 있음4,914
PDTA143ZK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음2,034
PDTA143ZK,135

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음3,726
PDTA143ZM,315
PDTA143ZM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음7,488
PDTA143ZMB,315
PDTA143ZMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음7,848
PDTA143ZQAZ
PDTA143ZQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 280mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음3,544
PDTA143ZS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음3,024
PDTA143ZT,215
PDTA143ZT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음139,956
PDTA143ZT,235
PDTA143ZT,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음6,408
PDTA143ZU,115
PDTA143ZU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음28,368
PDTA144EE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음8,532
PDTA144EK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음3,436
PDTA144EK,135

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음7,200
PDTA144EM,315
PDTA144EM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음6,030
PDTA144EMB,315
PDTA144EMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음2,106
PDTA144EQAZ
PDTA144EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 280mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음6,624
PDTA144ES,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,434
PDTA144ET,215
PDTA144ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음112,866
PDTA144ET,235
PDTA144ET,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음3,186
PDTA144EU,115
PDTA144EU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음199,392
PDTA144EU,135
PDTA144EU,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음2,430
PDTA144TE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음8,982
PDTA144TK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음7,038
PDTA144TM,315
PDTA144TM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음2,250
PDTA144TMB,315
PDTA144TMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음8,298
PDTA144TS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,002
PDTA144TT,215
PDTA144TT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음8,118
PDTA144TU,115
PDTA144TU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음5,382
PDTA144VE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음6,174
PDTA144VK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음3,544