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트랜지스터

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부품 번호
설명
재고 있음
수량
DTA124EMT2L
DTA124EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음2,862
DTA124ESATP
DTA124ESATP

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
  • 공급자 장치 패키지: SPT
재고 있음4,968
DTA124EU3HZGT106
DTA124EU3HZGT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTA124EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음21,738
DTA124EU3T106
DTA124EU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음3,562
DTA124EUAT106
DTA124EUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음28,920
DTA124EUA-TP
DTA124EUA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음24,792
DTA124EUBHZGTL
DTA124EUBHZGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음29,262
DTA124EUBTL
DTA124EUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음2,394
DTA124GKAT146
DTA124GKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3
재고 있음3,454
DTA124TETL
DTA124TETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음7,416
DTA124TKAT146
DTA124TKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3
재고 있음6,552
DTA124TMT2L
DTA124TMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음5,148
DTA124TUAT106
DTA124TUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음5,778
DTA124XCAHZGT116
DTA124XCAHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 350mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SST3
재고 있음7,974
DTA124XCAT116
DTA124XCAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SST3
재고 있음23,010
DTA124XEFRATL
DTA124XEFRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음6,066
DTA124XET1G
DTA124XET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V SC75

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음2,358
DTA124XETL
DTA124XETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음7,740
DTA124XKAT146
DTA124XKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3
재고 있음7,146
DTA124XM3T5G
DTA124XM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 260mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SOT-723
재고 있음6,642
DTA124XMT2L
DTA124XMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음8,838
DTA124XU3HZGT106
DTA124XU3HZGT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTA124XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음6,516
DTA124XU3T106
DTA124XU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTA124XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음26,676
DTA124XUAT106
DTA124XUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음108,840
DTA125TKAT146
DTA125TKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 200 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50µA, 500µA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3
재고 있음3,546
DTA143ECAHZGT116
DTA143ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 350mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SST3
재고 있음3,456
DTA143ECAT116
DTA143ECAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SST3
재고 있음7,470
DTA143ECA-TP
DTA143ECA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
재고 있음7,218
DTA143EEBHZGTL
DTA143EEBHZGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음23,040
DTA143EEBTL
DTA143EEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음6,984