트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MPSA29_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,624
MPSA29G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,160
MPSA29RLRP ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,562
MPSA29RLRPG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,528
MPSA42 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음6,012
MPSA42 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음89,436
MPSA42,116 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.1A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,452
MPSA42,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.1A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,094
MPSA42,412 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.1A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,462
MPSA42-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.625A TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음698,274
MPSA42_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,398
MPSA42_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,016
MPSA42_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,348
MPSA42_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,976
MPSA42_D81Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,694
MPSA42G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,922
MPSA42_J18Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,326
MPSA42_J22Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,682
MPSA42PH Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,564
MPSA42RA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,788
MPSA42RL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,034
MPSA42RL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,130
MPSA42RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,948
MPSA42RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,264
MPSA42RLRFG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,120
MPSA42RLRMG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,066
MPSA42RLRP ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,292
MPSA42RLRPG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,190
MPSA42ZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,064
MPSA42ZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,156

MPSA29_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,624

MPSA29G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,160

MPSA29RLRP

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,562

MPSA29RLRPG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,528

MPSA42

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음6,012

MPSA42

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음89,436

MPSA42,116

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.1A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,452

MPSA42,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.1A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,094

MPSA42,412

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.1A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,462

MPSA42-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.625A TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음698,274

MPSA42_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,398

MPSA42_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,016

MPSA42_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,348

MPSA42_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,976

MPSA42_D81Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,694

MPSA42G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,922

MPSA42_J18Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,326

MPSA42_J22Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,682

MPSA42PH

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,564

MPSA42RA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,788

MPSA42RL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,034

MPSA42RL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,130

MPSA42RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,948

MPSA42RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,264

MPSA42RLRFG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,120

MPSA42RLRMG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,066

MPSA42RLRP

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,292

MPSA42RLRPG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,190

MPSA42ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,064

MPSA42ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,156

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