트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
KSC2334YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음14,514
KSC2335OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,382
KSC2335R ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,336
KSC2335RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,158
KSC2335Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,718
KSC2335YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,604
KSC2383OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,142
KSC2383OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,060
KSC2383YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,276
KSC2383YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음20,922
KSC2500BBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 2A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,934
KSC2500BTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 2A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,442
KSC2500CBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 2A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,750
KSC2500CTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 2A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,598
KSC2500DBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 2A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 500mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,210
KSC2500DTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 2A TO-92L 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 500mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,380
KSC2518O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,012
KSC2518R ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,240
KSC2669OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 12V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,214
KSC2669YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 12V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음5,778
KSC2682OS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 0.1A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음8,244
KSC2682OSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 0.1A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음7,074
KSC2682YS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 0.1A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음4,824
KSC2682YSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 0.1A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음2,754
KSC2688OS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음2,466
KSC2688OSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음2,556
KSC2688YS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음4,878
KSC2688YSTSSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음7,038
KSC2688YSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음4,698
KSC2690AOS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1.2A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 155MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음3,222

KSC2334YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음14,514

KSC2335OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,382

KSC2335R

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,336

KSC2335RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,158

KSC2335Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,718

KSC2335YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,604

KSC2383OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,142

KSC2383OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,060

KSC2383YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,276

KSC2383YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음20,922

KSC2500BBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 2A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,934

KSC2500BTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 2A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,442

KSC2500CBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 2A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,750

KSC2500CTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 2A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,598

KSC2500DBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 2A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 500mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,210

KSC2500DTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 2A TO-92L

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 500mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,380

KSC2518O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,012

KSC2518R

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,240

KSC2669OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 12V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,214

KSC2669YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 12V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음5,778

KSC2682OS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 0.1A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음8,244

KSC2682OSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 0.1A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음7,074

KSC2682YS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 0.1A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음4,824

KSC2682YSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 0.1A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음2,754

KSC2688OS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음2,466

KSC2688OSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음2,556

KSC2688YS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음4,878

KSC2688YSTSSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음7,038

KSC2688YSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음4,698

KSC2690AOS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1.2A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 155MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음3,222

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