트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SD2114KT146W Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음7,002
2SD2118TLQ Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음6,642
2SD2118TLR Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음5,022
2SD2129,ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음4,770
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음7,164
2SD21330RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 1A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음12,840
2SD21330SA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 1A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음4,806
2SD21340RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 1A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음20,556
2SD21360QA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 4V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음2,448
2SD21360RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음6,048
2SD2137APA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A MT-4 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-4-A1	재고 있음8,172
2SD2138APA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-4-A1	재고 있음13,956
2SD2138AQA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-4-A1	재고 있음12,882
2SD21390PA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A MT-4 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-4-A1	재고 있음2,322
2SD2141 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 380V 6A TO220F 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 380V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1500 @ 3A, 2V 전력-최대: 35W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음17,244
2SD2142KT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음56,880
2SD2143TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V 전력-최대: 10W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음18,774
2SD2144STPU Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.5A 3PIN SPT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음7,452
2SD2144STPV Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.5A SPT/SC-72 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음3,852
2SD2144STPW Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.5A SPT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음6,210
2SD2150-R-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 290MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음3,618
2SD2150-S-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 290MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음8,478
2SD2150T100R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 290MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음2,088
2SD2150T100S Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 290MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음3,798
2SD2153T100U Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음3,654
2SD2153T100V Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음13,584
2SD2153T100W Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A MPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음8,100
2SD2167T100P Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 31V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 31V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음6,804
2SD2170T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 90V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음6,660
2SD217700A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 2A MT-2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-2-A1	재고 있음6,408

2SD2114KT146W

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음7,002

2SD2118TLQ

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음6,642

2SD2118TLR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음5,022

2SD2129,ALPSQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음4,770

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음7,164

2SD21330RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 1A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음12,840

2SD21330SA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 1A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음4,806

2SD21340RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 1A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음20,556

2SD21360QA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 4V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음2,448

2SD21360RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음6,048

2SD2137APA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A MT-4

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-4-A1

재고 있음8,172

2SD2138APA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-4-A1

재고 있음13,956

2SD2138AQA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-4-A1

재고 있음12,882

2SD21390PA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A MT-4

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-4-A1

재고 있음2,322

2SD2141

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 380V 6A TO220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 380V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1500 @ 3A, 2V
전력-최대: 35W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음17,244

2SD2142KT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음56,880

2SD2143TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V
전력-최대: 10W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음18,774

2SD2144STPU

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.5A 3PIN SPT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음7,452

2SD2144STPV

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.5A SPT/SC-72

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음3,852

2SD2144STPW

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.5A SPT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음6,210

2SD2150-R-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 290MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음3,618

2SD2150-S-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 290MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음8,478

2SD2150T100R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 290MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음2,088

2SD2150T100S

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 290MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음3,798

2SD2153T100U

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음3,654

2SD2153T100V

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음13,584

2SD2153T100W

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A MPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음8,100

2SD2167T100P

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 31V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 31V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음6,804

2SD2170T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 90V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음6,660

2SD217700A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 2A MT-2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-2-A1

재고 있음6,408

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