트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZXMP6A17E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-26 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음2,802,402
ZXMP6A17GQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,256
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음719,148
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.11W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음50,532
ZXMP6A17N8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,290
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.15W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음22,866
ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음14,358
ZXMP7A17GQTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T& 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,012
ZXMP7A17GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음20,874
ZXMP7A17KQTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.11W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,754
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.11W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음227,916
FII24N170AH1 IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT 1700V 18A I4PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-4, Isolated 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음3,562
FII24N17AH1 IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음2,340
FII24N17AH1S IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음2,880
FII30-06D IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 600µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음3,006
FII30-12E IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전력-최대: 150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음5,814
FII40-06D IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT 600V 40A I-PACK 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 125W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 600µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음8,046
FII50-12E IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 200W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 400µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음5,886
IXA20PG1200DHG-TRR IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT MODULE 1200V 105A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 130W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 125µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음8,316
IXA20PG1200DHG-TUB IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT MODULE 1200V 105A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 130W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 125µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음7,632
IXA30PG1200DHG-TRR IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전력-최대: 150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2.1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음2,142
IXA30PG1200DHG-TUB IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전력-최대: 150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 2.1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음7,002
IXA40PG1200DHG-TRR IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음2,898
IXA40PG1200DHG-TUB IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음7,092
IXA40RG1200DHG-TRR IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: ISOPLUS™ IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음5,148
IXA40RG1200DHG-TUB IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: ISOPLUS™ IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Module 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B	재고 있음3,492
MMIX4B20N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전력-최대: 150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD Module, 9 Leads 공급자 장치 패키지: 24-SMPD	재고 있음4,986
MMIX4B22N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET 제조업체: IXYS 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192
MMIX4G20N250 IXYS	트랜지스터-IGBT-어레이 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전력-최대: 100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD Module, 9 Leads 공급자 장치 패키지: 24-SMPD	재고 있음3,546
1MS08017E32W31490NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT STACK A-MS2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,930

ZXMP6A17E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-26
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음2,802,402

ZXMP6A17GQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,256

ZXMP6A17GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음719,148

ZXMP6A17KTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.11W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음50,532

ZXMP6A17N8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,290

ZXMP6A18KTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.15W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음22,866

ZXMP7A17GQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음14,358

ZXMP7A17GQTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T&

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,012

ZXMP7A17GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음20,874

ZXMP7A17KQTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.11W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,754

ZXMP7A17KTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.11W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음227,916

FII24N170AH1

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT 1700V 18A I4PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-4, Isolated
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음3,562

FII24N17AH1

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음2,340

FII24N17AH1S

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음2,880

FII30-06D

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 600µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음3,006

FII30-12E

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전력-최대: 150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음5,814

FII40-06D

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT 600V 40A I-PACK

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 125W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 600µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음8,046

FII50-12E

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음5,886

IXA20PG1200DHG-TRR

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT MODULE 1200V 105A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 130W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 125µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음8,316

IXA20PG1200DHG-TUB

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT MODULE 1200V 105A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 130W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 125µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음7,632

IXA30PG1200DHG-TRR

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전력-최대: 150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2.1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음2,142

IXA30PG1200DHG-TUB

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전력-최대: 150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 2.1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음7,002

IXA40PG1200DHG-TRR

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음2,898

IXA40PG1200DHG-TUB

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음7,092

IXA40RG1200DHG-TRR

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: ISOPLUS™
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음5,148

IXA40RG1200DHG-TUB

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: ISOPLUS™
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Module
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-SMPD™.B

재고 있음3,492

MMIX4B20N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전력-최대: 150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD Module, 9 Leads
공급자 장치 패키지: 24-SMPD

재고 있음4,986

MMIX4B22N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET

제조업체: IXYS
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

MMIX4G20N250

IXYS

트랜지스터-IGBT-어레이

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전력-최대: 100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD Module, 9 Leads
공급자 장치 패키지: 24-SMPD

재고 있음3,546

1MS08017E32W31490NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT STACK A-MS2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,930

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